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掺Ge钨酸锌单晶的生长研究

The Growth of Ge Doped Zine Tungstate Single Crystal

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【作者】 臧竞存汪良苗张克从

【Author】 Zang Jingcun;Wang Liangmiao;Zhang kecong(Beijing Polytechnic University)

【机构】 北京工业大学北京工业大学

【摘要】 <正> 无掺杂的 ZnWO5单晶呈红棕色,退火去色难以得到大尺寸优良闪烁体,发光性能受到很大影响,为此我们进行了掺 Ge 去色的研究。利用发射光谱法测定了 Ge 的分凝系数 k≈0.6发现其随掺杂量的增加而略有增加,掺杂后生长出无色的晶体,发光效率和能量分辩率与无掺杂退火后的晶体接近,个别性能优于无掺杂的 ZnWO4单晶。

  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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