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Li2B4O7单晶生长与缺陷
Growth and Defects of Li2B4O7 Single Crystals
【摘要】 <正> Li2B4O7单晶适合于用作2~5%带宽的带通滤波器及甚高频 SAW 滤波器基片材料,当用作基片时无须极化,原材料也便宜,成本低。本实验采用 LiTaO3晶体生长装置和提拉法工艺。考虑到 B2O3组分易挥发,采用 B2O3过量的原料配比(68.9%摩尔 B2O3 31.1%摩尔 Li2CO3)。发现生长的晶体只存在“云层”和“芯”缺陷失透区。用 X 射线粉末衍射分析,失透区呈玻
- 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1988年Z1期
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