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半导体光致荧光传感器温度特性分析
【摘要】 本文首次报道在0~200℃温度范围内用半导体载流子复合发光和扩散理论计算作为传感器的P型GaAs/GaAlAs双异质结的荧光光谱特性。峰值波长和峰值光强随温度漂移的计算结果与国外报道的实验数据符合较好。同时,对光谱半宽亦作了计算和比较.
- 【文献出处】 激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,1988年06期
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【摘要】 本文首次报道在0~200℃温度范围内用半导体载流子复合发光和扩散理论计算作为传感器的P型GaAs/GaAlAs双异质结的荧光光谱特性。峰值波长和峰值光强随温度漂移的计算结果与国外报道的实验数据符合较好。同时,对光谱半宽亦作了计算和比较.