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半导体ZnO薄层和金属Ni构成界面时的界面能

INTERFACE ENERGY BETWEEN THIN FILM SEMICONDUCTOR(ZnO) AND SEMI-INFINITE METAL(Ni)

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【作者】 王福合; 张涛; 王勉; 耿鸣明;

【Author】 Wang Fuhe Geng Mingming Thang Tao Wang Mian

【机构】 河南师范大学物理系; 河南师范大学物理系; 北京钢铁学院;

【摘要】 本文利用格林函数(GF)方法计算了ZnO半导体薄层和金属Ni构成界面时的界面能△E。讨论了界面能△E随NnO和Ni之间的相互作用势γ的变化.以及△E随半导体ZnO薄层的层数N(或厚度)的变化。

【Abstract】 The interface energy between thin film semiconductor(Zno) and metal(Ni)is calculated via a Green function formalism. It is discussed in detial that the variation of the interface energy with interaction potential and the thickness of N-Iayers Zno thin film.

【关键词】 界面能; 格林函数;
【Key words】 Interface energy; Green function;
  • 【文献出处】 河南师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Henan Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1988年02期
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