【摘要】 <正> 平面工艺制造半导体探测器,始于六十年代初期,但由于需要的设备多,工艺比较复杂,而探测器的电性能又不十分突出,致使该工艺很少被采用,各个领域使用的硅探测器,大多是用面垒工艺、扩散工艺和一般离子注入工艺制造的。直到七十年代末,Kemmer解决了一系列工艺问题后,才使探测器的性能提高到一个崭新水平,后来许多国家相继开展了这个工作,并取得了优异成果,制造出了带电粒子探测器,γ,X射线探测器,位置更多还原