节点文献

一种NMOS四值静态存贮单元的设计

Design of a NMOS Quadra-Valued Static Random-Access-Memory Cell

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 Zhang Zhongxuan, Chen Datong, Tang Zheng (Institute of Microelectronics, Tsinghua Univ.)

【摘要】 <正> 一、引言多值存贮器,尤其是用多值单元电路构成的多值存贮器是该领域需要研究的课题之一,其应用前景甚至超过了单纯多值电路的范围。关于多值ROM单元及由动态结构组成的多值存贮器已有一些报导,本文提出一种NMOS四值静态存贮单元电路。更多还原

【Abstract】 In the paper, a new 6-transistor quadra-valued static random access memory cell is proposed. Analysis and SPICE simulation are given with good results.更多还原

【关键词】 NMOS；单元电路；反相器；亚稳态；单元的；动态结构；电路模拟；传输特性；二次曲线； SPICE；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1988年04期

【下载频次】13

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献