超薄层超晶格GaAs/AlAs(001)的电子结构

【摘要】 本文讨论了SU（N.M）的空间对称性和布里渊区经折叠后的特殊性质。使用分区变分法计算了超薄层超晶格（GaAs）_n/（AlAs）_n（n=1,2,3）的能带,运用四个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本相符。结果表明,（GaAs）₁—（AlAs）₁为间接能隙半导体,禁带宽度为1.87eV,导带底位于Z_x点（1,0,0）（2π/a）。而（GaAs）_n—（AlAs）（n≥2）则为直接能隙半导体,且禁带宽度E_g随着n的增大而减小。并将计算结果和别的理论结果、实验数据作了比较和分析。更多还原