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类金刚石薄膜的生长研究
【摘要】 近年来,类金刚石碳膜引起了很大关注。本文采用直流辉光放电法和外加直流偏 压高频辉光放电法制备非备晶碳膜,证实了直流辉光放电法的生长机理是正离子淀积过程;而高频辉光法的生长机理则比较复杂,可能存在正离子和自由基的混合过程。生长温度对薄膜折射率有一定影响。
- 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1988年04期
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