节点文献
HEMT门特性分析及1μm栅单片HEMT IC的研制
【摘要】 <正> HEMT器件利用2DEG高迁移率的特点,在高速电路研制中具有很大潜力。尤其是采用E/D HEMT的DCFL逻辑电路,元件数少,工艺简单,可集中体现其高速、低功耗的特点。 进行了HEMT门特性的理论分析与计算机模拟,建立了使用E/DHEMT的DCFL门电路分析模型,并获得了与实验数据一致的分析结果。其直流传输特性曲线如图1所示。同时,开展了HEMT E/D倒相器、或非门(使用单栅HEMT)、与非门(使用双栅HEMT)及环形振荡器(包括9级、17级与19级)的实验研制,均取得较好结果。
- 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1988年02期
- 【下载频次】24