钇钡铜氧化物超导薄膜光刻工艺的新进展

【摘要】 <正> 自从谬勒等发现新的高T_c材料以来,高T_c超导材料的研究在世界范围内掀起了一股热潮。特别是能在液氮温度下超导的钇钡铜氧化物超导材料发现后,科学界和技术界都受到了极大鼓舞。在世界范围的努力下,具有器件应用前景的钇钡铜氧化物超导薄膜随之很快诞生。接着产生的问题是如何对它进行工艺加工。目前多数人认为这种材料多孔而且较疏松,在接触水汽后T_c会下降,因此,使用化学腐蚀方法会发生侧向钻蚀,并使T_c严重下降,从而他们纷纷钻研离子铣或离子注入等干法工艺。这种工艺虽具有分辨力高的优点,但由于要在真空中对材料轰击,所以也会使T_c下降5～10K左右。本研究通过调整磷酸系列腐蚀剂的配方和工艺条件可使化学腐蚀中的侧向钻蚀控制到2微米以下(膜厚2微米以下)。结合对工艺过程中各种烘烤温度的控制,使得整个工艺过程对T_c不产生明显的影响。南京电子器件研究所已用这种工艺制出了10微米数量级的器件图形。可以认为在目前的钇钡铜氧化物薄膜超导器件的研制中,这种新的工艺途径是简便易行与可靠实用的加工方法。更多还原