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化学气相淀积技术制造X光管铜靶涂层的研究
【摘要】 本文采用CVD技术制造x光管铜靶涂层。全面地研究了CuCl-H2-N2体系CVD过程的基本实验规律及各项工艺参数对涂层淀积速率、致密度、结合强度的影响,得到了制备铜靶涂层的最佳工艺。
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 仪表材料 , 编辑部邮箱 ,1988年01期
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【摘要】 本文采用CVD技术制造x光管铜靶涂层。全面地研究了CuCl-H2-N2体系CVD过程的基本实验规律及各项工艺参数对涂层淀积速率、致密度、结合强度的影响,得到了制备铜靶涂层的最佳工艺。