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等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格

Plasma Etching a-Si:H/a-C: H Superlattice

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【Author】 Wang Yuling/Microelectronics Center,Chinese Academy of Sciences. BeijnigZhang Qing/Semiconductor Institute, Chinese Academy of Sciences, Beijing

【机构】中国科学院微电子中心；中国科学院半导体研究所北京；北京；

【摘要】本文介绍了 C_yF₁₄+ O₂等离子刻蚀 a=Si:H/a-C:H 超晶格的工艺原理及方法,简便可行.更多还原

【Abstract】 A method of plasma etching a-Si:H/a-C:H superlatice using C₇F₁₄_O₂ is reported. It issimple and feasible.更多还原

【关键词】 a-Si:H/a-C:H；超晶格；等离子刻蚀；
【Key words】 a-Si:H/a-C:H； Superlattice； Plasma etching；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1988年03期

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