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提高R(?)b均匀性的新方法

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【作者】 曾广

【机构】 衡阳市晶体管厂

【摘要】 <正>本文介绍一种能提高基区硼杂质浓度R?b均匀性的新方法.①传统工艺方法(下称方法①):基区硼扩散分两步,先进行硼予扩,在硅抛光片表面上沉积一定数量的硼杂质原子.再进行主扩再分布,同时进行氧化.其氧化方法是:主扩硅片进炉时,开始干氧氧化40分钟,然后转湿氧氧化150分钟,再转干氧氧化180分钟,即:干O240分钟+湿O2150分钟+干O2180分钟

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1988年06期
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