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硅化钨polycide的反应离子刻蚀

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【作者】 邹斯洵； 李宁；

【机构】 复旦大学微电子所； 复旦大学微电子所；

【摘要】 本文简单介绍反应离子刻蚀的基本原理和激光干涉在线监控刻蚀的原理,比较了两种不同的反应气体（CF4、SF6）系统中polycide膜的刻蚀速率和多晶硅与二氧化硅的刻蚀速率比,实验表明SF6气体有较大的刻蚀速率和较高的选择性,是刻蚀polycide合适的反应气体.

【关键词】 反应离子刻蚀； polycide； 硅化钨； 刻蚀速率； 反应气体； 激光干涉； 集成密度； 新型器件； 组合结构； 干法工艺；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1988年06期
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