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薄层硅烷同步外延的研究

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【作者】 张旗； 李思渊； 王根生； 王兴斌；

【机构】 兰州大学物理系； 兰州大学物理系；

【摘要】 本文研究了薄层硅烷同步外延与SiH4浓度、外延温度及时间分配诸方面的关系.给出了最佳工艺范围.

【关键词】 外延层； 时间分配； 工艺范围； 击穿电压； 外延生长； 介质膜； 电流特性； 诱导时间； 杂质分布； 射频加热；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1988年03期
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