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α-Si:H薄膜的制备及掺杂样品电导率

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【作者】 惠恒荣； 向勇； 周大龙； 张小平； 李梅；

【机构】 成都电讯工程学院； 七三九半导体材料研究所； 七三九半导体材料研究所；

【摘要】 本文介绍了运用辉光分解硅烷法制备a-Si:H薄膜的基本原理、设备及工艺,采用不同的工艺条件制备了一系列不同的掺杂和本征a-Si:H薄膜,对掺杂样品的电导率进行了检测.结果表明,掺杂显著地提高了材料的电导率.

【关键词】 Si:H； 工艺条件； 用辉； 非晶半导体； 气体压强； 反应室； 巴申定律； 沉积速率； 恒温加热； 声子耦合；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1988年02期
  • 【被引频次】1
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