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一种研究半导体中深能级的技术——光电容谱
【摘要】 建立光电容谱测量装置,其中连续流光学低温恒温器是本所自制的。该装置可用肖特基势垒结构来检测深中心,并且可以获得有关深能级与光子互作用的信息,这是DLTS技术所不能做到的。利用这套系统,已成功地研究了GaAs中主要深能级中心EL2。
- 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1987年01期
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【摘要】 建立光电容谱测量装置,其中连续流光学低温恒温器是本所自制的。该装置可用肖特基势垒结构来检测深中心,并且可以获得有关深能级与光子互作用的信息,这是DLTS技术所不能做到的。利用这套系统,已成功地研究了GaAs中主要深能级中心EL2。