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新型稀土掺杂Ⅲ—Ⅴ族半导体发光与激光器件研究进展
【摘要】 <正> 一、引言固体中稀土离子的内壳层4f跃迁产生出尖锐的窄带发光,其光子能量几乎不受基质材料和温度的影响,这些特点使稀土离子在激光和发光材料、器件中得到了广泛应用。
- 【文献出处】 发光快报 , 编辑部邮箱 ,1987年Z1期
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【摘要】 <正> 一、引言固体中稀土离子的内壳层4f跃迁产生出尖锐的窄带发光,其光子能量几乎不受基质材料和温度的影响,这些特点使稀土离子在激光和发光材料、器件中得到了广泛应用。