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离子注入白光退火特性
【摘要】 本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散射和扩展电阻仪得到As浓度和载流子浓度分布;获得了制备浅结的工艺条件。用超高压电镜分析了注入层的剩余缺陷。同热退火比较表明白光退火技术更适于超大规模集成电路的微细加工工艺的要求。
【基金】 国家自然科学基金会的资助
- 【文献出处】 微细加工技术 ,Microfabrication Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z2期
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