节点文献

硅的反应离子刻蚀小信号发射光谱法终点检测

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 应再生；

【机构】 上海交通大学应用物理系；

【摘要】 本实验用CF4进行硅的反应离子刻蚀,并用发射光谱法进行终点检测。在可见光范围内进行了全谱扫描,找到与国外报导一致的最灵敏线7037.45（?）。讨论了提高信噪比的方法以满足小信号的终点检测,并从光谱变化现象讨论了刻蚀和检测的机理。

【关键词】 反应离子刻蚀； 发射光谱法； 可见光范围； 检测线； 信噪比； 灵敏线； 特征谱线； 氟原子； 光谱变化； 本底发射；
  • 【文献出处】 微细加工技术 ,Microfabrication Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z2期
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】66
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)