节点文献

用分子束外延(MBE)法制作GaAs—AlGaAs超晶格及其评价

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【机构】日本工业大学电气实验中心；日本工业大学系统工程学系；日本工业大学系统工程学系；

【摘要】 <正> 1.前言以前超晶格一词是用来表示晶体表面的晶格周期比原子的晶格周期大(主要是Cu、Zn等二元合金),而Esaki等人在提出超晶格器件方案的当时是用这个词来主要表示半导体领域的极薄膜周期构造(一层的厚度与原子的量子力学波长相同或比它还薄时)的。他主张用这种半导体超晶格结构制作各种高性能器件,而他的一部分研究成果已达更多还原

【关键词】 AlGaAs；超晶格结构； MBE；分子束外延；半导体市场；周期比；二元合金；晶体表面；原子层；均匀性；

【文献出处】微细加工技术 ,Microfabrication Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z1期

【下载频次】52

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献