用双晶衍射法同时测量Ga_1-xAl_xAs/GaAs的弯曲、错配应变和x值

【摘要】 如在一种二元的化合物半导体（AB）晶片上外延一层三元化合物（A₁-xB_xC）薄膜,则由于衬底与薄膜的点阵参数不同,在界面附近将产生错配应变ε,甚致产生错配位错,并使晶片弯曲.这种应变有时很小,曲率半径R则往往很大,用一般的实验方法不易测量.然而,X射线双晶（或三晶）衍射方法对这类应变及弯曲却非常灵敏.根据测得的表面应变值以及平均的曲率半径,还可对组分x值进行定量计算.这些测量不但可以同时在晶片同一点处进行,而且是非破坏性的,因此有较大的实用意义.这一方法可以简称为ε-R-x技术,本文介绍用一种三晶衍射方法代替通常的双晶衍射法对ε,R和x三者同时进行测量. 一、原 理 对于弯曲的测量,Coh更多还原