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大规模集成电路掩模缺陷激光修正技术

Laser repair techuipue fos Lsi photomasrs

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【作者】 谢应鑫; 刘健; 毛绍伯;

【Author】 Xie Yingxin Liu Jian Mao Shaobai(Institute of Optics and Electroics,the Academy of Sciences of China)

【机构】 中国科学院光电技术研究所; 中国科学院光电技术研究所;

【摘要】 本文介绍了用激光投影系统汽化C_r板的技术。可在C_r板上汽化出3μm×3μm至80μm×80μm的矩形方孔,最细线宽1μm的线条,最小直径φ1.5μm的园形孔。汽化质量已达到修正LSI掩模缺陷的使用要求。讨论了汽化质量与激光参数的关系。

【Abstract】 This paper reports a techique of evaporating films of Cr,using laser projected system.Experiment has evaporated rectangular hols 3μm×3μm to 80μm×80μm lines minimum width 1μm,circles minimum diameter φ1.5μm.The quality of-evaporated holes has attainted the criterion for repair defect of LSI photomasks.We have discussed the dependence of the dimension and quality of the evaporated holes on the laser parameters.

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