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SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究

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【机构】复旦大学物理系；中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室；中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室；

【摘要】 <正> 在电阻率为6～8Ω·cm的N型<100>硅衬底上热生长1μm厚的SiO₂层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar⁺激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5cm/s,衬底温度为550℃。在上述条件下,SOI薄层发生了熔化并再结晶的过程。在这一过程中,由于SiO₂绝缘层的热膨胀系数比硅小很多,因此SOI薄更多还原

【关键词】激光再结晶； SOI；喇曼光谱；激光束； LPCVD；热膨胀系数；衬底温度；硅衬底；淀积；扫描速率；

【文献出处】红外研究(A辑) , 编辑部邮箱 ,1987年03期

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