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碲镉汞光导器件的电学参数

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【作者】 张景韶； 尹敏； 王正友； 王兰；

【机构】 昆明物理研究所； 昆明物理研究所；

【摘要】 本文从材料不均匀性和表面影响的角度探讨x=0.27的碲镉汞红外光电导器件芯片的电学参数可设计性差的原因。

【关键词】 碲镉汞； 电学参数； 光电导； 器件研究； 不均匀性； 可设计性； 表面层； 电子迁移率； 电阻率计； 多子浓度；
  • 【文献出处】 红外技术 ,Infrared Technology , 编辑部邮箱 ,1987年03期
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