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聚乙炔的离子注入法掺杂

DOPING EFFECTS OF ION IMPLANTATION IN POLYACETYLENE FILM

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【作者】 林森浩盛康龙鲍锦荣荣廷文邹志宜沈之荃杨慕杰

【Author】 LIN Senhao, SHENG Kanglong, BAO Jinrong, RONG Tingwen, ZHOU Zhiyi,(Shanghai Institute of Nuclear Research, Academia Sinica, Shanghai)SHEN Zhiquan and YAN Mujie(Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou)

【机构】 中国科学院上海原子核研究所浙江大学化学系浙江大学化学系 上海上海杭州杭州

【摘要】 <正> 离子注入是一种物理摻杂方法,在半导体器件的制备中已得到广泛的应用,它与常规的化学、电化学或热扩散掺杂相比具有一些特点:可以通过质量分析器选取单一的注入离子,故掺杂杂质的纯度高;根据注入离子的剂量和能量,精确控制到掺人杂质的数量和深度等等。近年来,采用离子注入技术进行掺杂,改变聚合物或其它绝缘材料表面性质的研究已逐步引起重视真视。

【Abstract】 Ion implantation for doping of polyacetylene film is described. An ion implanter is used for implantation and the conditions for potassium implantation are: ion beam energy 10-30 KeV, fluence 1×1015-1×1017 ions/cm2, and beam current about 2μA. The pristine (CH)x film emerged a little of p-type semiconductor characteristics because of residual catalyst or oxygen. Apparent doping effects were observed in those films implanted with K ions as a n-type electron-donating dopants. Current-voltage characteristic of a p-n junction produced and the resulting diode characteristics are stable for more than a week in the open air. The depth profile of implanted K ions in a polyacetylene film obtained by Rutherford Backscattering Spe-ctrometry (RBS) shows a Gaussian distribution centred around a few thousand A.

【关键词】 聚乙炔掺杂离子注入
【Key words】 PolyacetyleneDopingJon Implantation
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 高分子学报 ,Acta Polymerica Sinica , 编辑部邮箱 ,1987年04期
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】50
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