PECVD技术在可控硅生产中的应用

【摘要】 <正> 随着集成电路集成度的提高以及对半导体器件可靠性要求的不断提高,半导体器件表面的最终钝化具有日益重要的意义.近年来,低压化学蒸汽淀积(LPCVD)及等离子增强型化学蒸汽淀积(PECVD)薄膜技术的迅速发展和应用,使化学蒸汽淀积(CVD)技术的发展出现了一个重大突破,在降低生产成本、降低温度、提高效率、改进薄膜质量等方面显示了很大的优越性. 迄今,PECVD技术所生长的钝化膜在MOS器件、运算放大器中应用已有报导,但在可控硅生产中的应用尚少见.本文报导PECVD技术于可控硅生产工艺中的应用.本技术与原来的直流卧式溅射氧化硅工艺相比,节约了大量电力、人力、物力,效果亦佳.在可控硅的传统工艺中.例如在管芯上生长氧化硅薄膜,是利用溅射获得的,但直流高压溅更多还原