Si在GaP(111)衬底上的分子束外延

【摘要】 <正> 在用分子束外延技术制备半导体异质结时,选择晶格常数相匹配的材料是获得高质量外延膜的关键因素之一.Si和GaP这两种材料的晶格失配仅为0.37%,而且它们的热膨胀系数和弹性常数也非常接近,因此Si/GaP系统是一种非常适用于分子束外延生长的结构.本文对这一体系的外延生长特性作了初步的研究. 外延生长是在一台超高真空电子束蒸发装置中进行的,它由相互间可以隔离的生长室、分析室和进样室三部分组成.生长室中配有8kW的电子束蒸发器、石英晶体厚度监视器、高能电子衍射仪（RHEED）、液氮冷屏罩和一个可使样品自转的样品架.生长室的极限真空度可达8×10^-9Pa,工作时压强保持在1×10^-7Pa.Si的蒸发速率为0.4A/S,更多还原