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非晶硅的光致变化效应研究
LIGHT-INDUCED EFFECT IN AMORPHOUS SILICON
【摘要】 本文较系统地研究了 GD a-Si∶H 中的光致变化效应对曝光强度、曝光光子能量和曝光温度三个基本参量的依赖关系,发现光、暗电导的光致变化的饱和值明显地依赖于曝光强度。
【Abstract】 Careful studies of the dependence of the light-induced changes on lightintensity,photon energy and the temperature of sample being exposed to lightwere carried out for undoped GD a-Si:H samples.A clear dependence of thesaturated change of dark and photoconductivity on photon flux density wasdiscovered.
【基金】 国家自然科学基金,84科基金技准字第181号
- 【文献出处】 材料科学进展 , 编辑部邮箱 ,1987年04期
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