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非晶硅光电导及其特性

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【作者】 高启安；

【机构】 合肥工业大学应用物理系；

【摘要】 <正> 本文简要论述氢化非晶硅(α-Si:H)的特性。描述了我们的研制系统。给出了实验结果及本征α-Si:H GD法生长光电导的最佳条件点。即在基底温度为265℃、射频源一定功

【关键词】 光电导； 射频源； 非晶硅； 最佳条件； 基底温度； 定功； 耗散功率；
  • 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z1期
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