紫外-可见-近红外硅光伏探测器

【摘要】 <正> 我们设计研究了p~+/p/n结构的硅光伏探测器。由于UVC波段的辐射在硅中的透入深度很浅,约10nm,光生载流子绝大多数都在表面附近产生。所以,减少表面复合与重掺杂区的俄歇复合损失,以及防止重掺杂引起的能隙收缩是极为重要的。所研制的p~+/p前表面高低结对于减少表面损失增大紫外波段的响应率是有更多还原