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高速蓝敏光电二极管
【摘要】 <正> 我们在新颖而又独特的构思上,采用常规平面扩散工艺,制成了高速蓝敏光电二极管,其性能酷似p-i-n光电二极管,而总体成本不到p-i-n光电二极管的十分之一。对于1mm~2这种二极管的结电容(零偏)仅15pF、上升时间10ns、100Lx下的开路电压大于400mV、
- 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z1期
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【摘要】 <正> 我们在新颖而又独特的构思上,采用常规平面扩散工艺,制成了高速蓝敏光电二极管,其性能酷似p-i-n光电二极管,而总体成本不到p-i-n光电二极管的十分之一。对于1mm~2这种二极管的结电容(零偏)仅15pF、上升时间10ns、100Lx下的开路电压大于400mV、