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光敏CdTe多晶薄膜研制

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【作者】 王旭升； 邱吉衡； 王万兴； 方湖宝；

【机构】 西北电讯工程学院； 西北电讯工程学院；

【摘要】 <正> 薄膜制备分别用电子束和电阻加热的方法真空蒸发制备了CdTe薄膜。真空度为1～5×10-5,蒸发源采用钼舟内放入纯度为99.999％的本征CdTe单晶块,由于我们采用的是CdTe单晶的边角料,纯度虽高,但成本较低;基板采用经过清洗处理的微晶玻璃片;

【关键词】 CdTe； 多晶薄膜； 薄膜制备； 电阻加热； 基板； 真空度； 玻璃片； 真空蒸发； 清洗处理； 复折射率；
  • 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z1期
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