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铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究

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【作者】 方培生； 黄强； 何益新； 崔吾元； 丰达明；

【机构】 西安交通大学； 冶金部广州有色院；

【摘要】 <正> 我们采用半导体平面工艺技术,制造栅绝缘膜为Si3N4/SiO2的n沟道耗尽型氢离子敏感半导体器件,再在栅绝缘膜上通过溅射等方法制造一层以季铵盐为活性物质的PVC膜;然后把器件灌封在聚乙烯塑料管中。将铬离子敏感

【关键词】 半导体器件； Vl； 绝缘膜； 平面工艺； 氢离子； 灌封； 活性物质； 铬离子； 栅压； 甘汞电极；
  • 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,1987年Z1期
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