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离子注入GaAs Hall元件的不等位电势

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【作者】 杨悦非； 乔墉； 刘月琴； 罗潮渭； 王渭源；

【机构】 中国科学院上海冶金所； 中国科学院上海冶金所；

【摘要】 实验得到Hall元件的不等位电势Vo与元件的不对称因子和薄层电阻两者乘积成正比。实验表明,对离子注入Hall元件,Vo主要由载流子浓度分市的均匀性决定,均匀性好,Vo小,成品率高。通过提高注入剂量并采用轻度腐蚀减薄方法,可得到较高的元件灵敏度和较小的Vo。

【关键词】 不对称因子； GaAs Hall； 薄层电阻； 元件表； 离子注入； 载流子浓度； 均匀性； 注入剂量； 有源层； 隔离岛；
  • 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,1987年02期
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