节点文献

Pd在P-Si中的物理行为

Physical Behavior of Pd in p-Si

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 Zhou Jie/Institute of Semiconductors, Academia SinicaRuan Shengyang/Institute of Semiconductors, Academia SinicaHao Hong/Institute of Semiconductors, Academia SinicaGe Weikun/Institute of Semiconductors, Academia SinicaJi Xiujiang/Institute of Semiconductors, Academia SinicaLi Shuying/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】中国科学院半导体研究所；中国科学院半导体研究所；

【摘要】本文详尽地报道了Pd在P-Si中的物理行为,并对它的两个主要能级H(0.16) 和H(0.33)的本质作了初步鉴别.更多还原

【Abstract】 The physical behavior of Pd in p-type silicon is reported.The nature of its two mainenergy levels H(0.16) and H(0.33) has been preliminarily identified.更多还原

【关键词】 P-Si； Pd；能级图；子谱；荷电状态；电子结构；俘获截面；电子辐照；掺杂剂；淬火工艺；

【基金】国家自然科学基金

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1987年03期

【下载频次】6

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献