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硅中铁对氧碳沉淀的影响

Effect of Fe on Oxygen and Carbon Precipitations in Silicon

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【作者】 张一心

【Author】 Zhang Yixin/Institute of Scmiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所

【摘要】 本文研究了铁对氧碳沉淀的影响.对于高碳单晶,碳沉淀减少,氧沉淀减慢;对于低碳单晶、氧沉淀增加.

【Abstract】 The effect of Fe on oxygen and carbon precipitation in silicon is investigated.After Feis doped, both carbon and oxygen precipitation decrease in CZ silicon single crystals with highcontent of carbon, while the oxygen precipitation increases in silicon single crystals with lowcontent of carbon.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1987年03期
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