节点文献

关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别

Identification of the E0.37 and E0.62 Levels in Pd-Doped Silicon

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 周洁； 阮圣央； 郝灴； 葛惟锟； 吉秀江； 李树英；

【Author】 Zhou Jie/Institute of Semiconductors, Academia SinicaRuan Shengyang/Institute of Semiconductors, Academia SinicaHao Hong/Institute of Semiconductors, Academia SinicaGe Weikun/Institute of Semiconductors, Academia SinicaJi Xiujiang/Institute of Semiconductors, Academia SinicaLi Shuying/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 在已证实Si中与间隙Pd有关的ETA（0.37）和ETB（0.62）能级为同一双施主中心的（0/ +）态与（+/++）态的基础上,本文通过一系列实验事实进一步揭示该中心是有B杂质参与的络合物.

【Abstract】 Based on the fact that the energy levels ETA（0.37） and ETB（0.62） have been proved to berelated to interstitial Pd in silicon,and to be respectively different charge states （0/+） and（+/+ +） belonging to the same center,further experimental investigation reveals that centeris a complex with boron associated.

【关键词】 N-Si:Pd； 受主杂质； 实验事实； 扩散结； 结区； 扩展电阻法； 空间电荷区； 肖特基二极管； 结深； 线性缓变结；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1987年03期
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】10
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)