【摘要】 采用集团模型和分立变分的 Xα方法研究 Ni原子在Si（111）顶位和三度开位吸附,以及在Si（100）四度位和桥位吸附的可能性,由体系的总能量最低确定稳定吸附位置,并在稳定吸附位讨论了Ni-Si成键特性和态密度.结果表明,只有当Si（111）表面弛豫情况下Ni原子才能沿[111]方向进入表面以下,但Ni原子也能沿[100]方向进入Si表面层.计算所得态密度与实验符合较好.比较所得的态密度和 NiSi₂/Si（111）的界面态密度表明位于表面下的Ni可能是生长NiSi₂的先兆.更多还原

【Abstract】 The cluster model and the DV-Xα methods are used to determine the configurations ofNi/Si(111) and Ni/Si(100) during the initial stage of deposition.The possible precursor statesfor the formation of nickel disilicides on silicon for both cases are discussed and comparedwith the experiments.更多还原