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高压氧化对硅中杂质扩散的影响
【摘要】 用扩展电阻探针等方法观测了经5～6atm高压水汽氧化后,(111)-Si中P、B、Sb的扩散分布,在823～940℃的工艺低温区发现:P、Sb的扩散减缓(ORD),而B则出现增强扩散和减缓扩散的转变.与常压下硅中杂质ORD的数据比较表明,加大氧压将引起从DED到ORD的转变温度(T_R)向低温方向移动.
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1987年06期
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