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园筒型等离子体刻铝及去胶系统
【摘要】 本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1987年03期
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【摘要】 本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.