硅中离子注入层的红外瞬态退火及其浅结的制备

【摘要】 本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As⁺和注B⁺样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂质再分布小等优点.对于注入剂量为1×10¹⁵As⁺cm^-2的样品和3.6×10¹⁴B⁺cm^-2的样品,经红外瞬态退火后电激活率分别达到了90%和95%.用红外瞬态退火样品制作的台面管的反向漏电流,在相同的测试条件下,只是常规热退火样品的一半左右.对于通过650（?）SiO₂膜,25keV、5×10¹⁴cm^-2剂量的硼离子注入样品,经红外瞬态退火后得到了结深分0.20μm的浅结.更多还原