节点文献

低温加热对碲镉汞表面组分的影响

EFFECT OF LOW TEMPERATURE HEATING ON Hg1-xCdxTe SURFACE COMFOSITION

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 司承才； 严申生；

【Author】 Si Cheng-cai(Shanghai Institute of Technical Physics) Academia Sinica) Yan Shen-sheng (Shanghai Institute of Testing Technology, China)

【机构】 中国科学院上海技术物理研究所； 上海测试技术研究所；

【摘要】 <正> 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)是一种禁带宽度可调的三元系窄禁带半导体,选择适当Hg/Cd比的材料,可满意地制造出其响应波段从近红外延伸到远红外的各种Hg1-xCdxTe红外探测器。由于汞具有容易挥发的特性,因而它给器件的制造带来了许多麻烦。近年来,人们对Hg1-xCdxTe表面以及它与介质之间的界面发生了很大兴趣。人们已研

【关键词】 碲镉汞； 红外探测器； 窄禁带半导体； 三元系； 禁带； 溅射方法； 组分变化； 界面结构； 溅射时间； 偏振仪；
  • 【文献出处】 真空科学与技术 ,Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1986年02期
  • 【下载频次】7
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)