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KCl深中心的电子结构
Electronic Structure of Deep Centers in KC1
【摘要】 <正> 对固体电子结构的研究构成了固体物理中基本的和重要的内容.近几年来发展起来的用紧束缚哈密顿量的格林函数方法来研究半导体中深能级点缺陷波函数的理论,虽然其计算方法十分简单,但无论在说明这些半导体中点缺陷的一般行为上还是在对具体点缺陷的ESR和ENDOR 谱的解释上都取得了一定的成功.作为一个尝试,我们将这方法发展用来研究KCl 中Cl 代位的深中心电子态波函数的一般行为.
- 【文献出处】 中国科学技术大学学报 ,Journal of University of Science and Technology of China , 编辑部邮箱 ,1986年04期
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