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GaN发光的几个物理问题
【摘要】 <正> 宽禁带Ⅲ—Ⅴ族半导体发光材料GaN由于可以通过合适的掺杂获得蓝色EL而引起了人们的兴趣。许多实验室曾以各种方法在CaN中掺入了40多种元素并研究了相应的发光特性,发现Zn杂质是获得高效发光的最有效的掺杂剂。但由于自补偿效应,至今还没有通过掺入受主型杂质而获得p型GaN,从而不能制成p—n结EL器件。非故意掺杂GaN呈低
- 【文献出处】 发光快报 , 编辑部邮箱 ,1986年Z1期
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【摘要】 <正> 宽禁带Ⅲ—Ⅴ族半导体发光材料GaN由于可以通过合适的掺杂获得蓝色EL而引起了人们的兴趣。许多实验室曾以各种方法在CaN中掺入了40多种元素并研究了相应的发光特性,发现Zn杂质是获得高效发光的最有效的掺杂剂。但由于自补偿效应,至今还没有通过掺入受主型杂质而获得p型GaN,从而不能制成p—n结EL器件。非故意掺杂GaN呈低