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等离子体气氛中器件失效机理讨论

In Plasma Gas Discussion of Mechanisms of Useless Devices

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【作者】 许春芳; 陈永兴; 陈琳; 王济身; 周文华;

【Author】 Xu Chun-fang Chen yong-xin Chen Lin Wang Ji-shen (East China Normal University) Zhou Wen-hua (Institute of Shanghai Ssraiconductor Device)

【机构】 华东师大电子科学技术系; 上海半导体研究所;

【摘要】 <正> 等离子体加工技术已成为半导体器件,尤其是LSI科研和生产中不可缺少的工艺,因而等离子体对半导体器件的影响已是人们十分关注的问题。等离子体对半导体表面的影响与一般射线辐射损伤的影响相比,情况要复杂得多。放在等离子体气氛中的半导体基片,要承受高能电子、光子及离子的轰击,轰击的结果,使半导

【Abstract】 By use of experimental realities of MOS capacitance and transistor, the variant process conditions, station o2 wafer, ionic contamination and so on effects on surface. These mechanisms are discussed.

  • 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,1986年06期
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