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离子束混合与金属硅化物的形成
【摘要】 <正> 金属硅化物可被用作肖脱基势垒(Schottky barrier)和硅器件的欧姆接触,特别是几种难熔金属硅化物,据报导在大规模集成电路中有重要的应用价值,因而受到了人们的重视。获得金属硅化物的常规方法是先在Si上沉积(如真空镀膜)一层金属膜后,再进行加热退火。而离子束混合则是近几年来出现的一种新方法,其具体做法是在Si基片上镀一层几百埃的金属薄膜后,在较低温度下(如室温或略高于室温)用低能加速器
- 【文献出处】 微细加工技术 ,Microfabrication Technology , 编辑部邮箱 ,1986年01期
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