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立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ) 硅中双空位态的波函数

ELECTRONIC STRUCTURE OF THE DIVACANCY IN CUBIC SEMICONDUCTORS (Ⅲ) WAVEFUNCTIONS OF THE DIVACANCY STATES IN SI

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【作者】 任尚元茅德强李名复

【Author】 WAVEFUNCTIONS OF THE DIVACANCY STATES IN SI REN SHANG-YUAN MAO DE-QIANG(Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei)LI MING-FU (Graduate School, University of Science and Technology of China, Beijing)

【机构】 中国科学技术大学物理系中国科学技术大学研究生院

【摘要】 利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的E_g和E_u态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。

【Abstract】 The wavefunctions of the Eu, state and the E? state are evaluated for the ideal divacancy in Si, using the basic equations given in [1] and the tight binding Hamiltonian given by P. Vogl et al. Comparison between the culculated results and the ESR and ENDOR spectra of V2+ and V2- in Si is discussed.

【基金】 中国科学院科学基金
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1986年11期
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