节点文献

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ) 硅中双空位态的波函数

ELECTRONIC STRUCTURE OF THE DIVACANCY IN CUBIC SEMICONDUCTORS (Ⅲ) WAVEFUNCTIONS OF THE DIVACANCY STATES IN SI

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 WAVEFUNCTIONS OF THE DIVACANCY STATES IN SI REN SHANG-YUAN MAO DE-QIANG(Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei)LI MING-FU (Graduate School, University of Science and Technology of China, Beijing)

【机构】中国科学技术大学物理系；中国科学技术大学研究生院；

【摘要】利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的E_g和E_u态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。更多还原

【Abstract】 The wavefunctions of the E_u, state and the E_? state are evaluated for the ideal divacancy in Si, using the basic equations given in [1] and the tight binding Hamiltonian given by P. Vogl et al. Comparison between the culculated results and the ESR and ENDOR spectra of V₂⁺ and V₂^- in Si is discussed.更多还原

【关键词】双空位；壳层；原子层；最近邻；哈密顿量；空位缺陷；电子结构；杂化轨道； Teller；不可约表示；

【基金】中国科学院科学基金

【文献出处】物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1986年11期

【下载频次】13

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献