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喷涂CuInSe2膜的性质和CuInSe2/CdS太阳电池

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【作者】 王福善； 赵国民；

【机构】 中国科学院长春应用化学研究所； 中国科学院长春应用化学研究所；

【摘要】 <正> CuInSe2作为一种高效光伏转换材料受到极大的重视。CuInSe2的禁带宽度为1.04eV,与地面太阳光谱匹配较好,是一种直接跃迁材料,具有高吸收系数,只要几微米的厚度就可以制成高效电池,从而降低了对材料扩散长度的要求。CuInSe2与CdS有良好的晶格匹配,可以得到效率高于10％的全薄膜p-GuInSe2/n-CdS电池。研究表明,6—8微米厚的CuInSe2/

【关键词】 CuInSe2/CdS； 直接跃迁； 晶格匹配； 扩散长度； 光谱匹配； 导电类型； 禁带； 闪锌矿结构； 透明导电膜； 沉积膜；
  • 【文献出处】 太阳能学报 ,Acta Energiae Solaris Sinica , 编辑部邮箱 ,1986年01期
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