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高激发密度下磷化镓等电子陷阱束缚机制研究

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【摘要】 <正> 一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束缚激子发光,无疑具有重要意义。 多年来,人们对GaP中激子束缚机制进行了大量研究。HTL模型及Allen模型可以说是两个比较成功模型。前者注重于等电子杂质原子与所取代的基质原子在电负性上的差异,

  • 【文献出处】 量子电子学 ,Chinese Journal of Quantum Electronics , 编辑部邮箱 ,1986年04期
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